Воскресенье, 27.07.2025, 21:01
| RSS
Главная |
Меню
Статистика



Главная » 2009 » Август » 13 » Американцы разрабатывают оперативную память следующего поколения - FeDRAM
Американцы разрабатывают оперативную память следующего поколения - FeDRAM
10:13
Консорциум Semiconductor Research Corporation (SRC) совместно с исследователями из Йельского университета, США, разрабатывает технологию, которая позволит значительно увеличить производительность чипов DRAM-памяти.

Инновация заключается в применении ферроэлектрических слоев, благодаря которым отпадает необходимость в использовании запоминающих конденсаторов, как это делается в обычных DRAM-ячейках. Ячейки в чипах ферроэлектрической DRAM-памяти (FeDRAM) будут похожи на ячейки обычной DRAM – с КМОП-транзисторами, только, вместо диэлектрических, затворы у них будут ферроэлектрическими. 

Ферроэлектрическая DRAM-память будет обладать лучшими возможностями для масштабирования, меньшими размерами ячеек и будет потреблять меньше электроэнергии по сравнению с обычной DRAM. Время запоминания возрастет как минимум в 1000 раз. Также появится возможность более плотной записи данных: в одной ячейке можно будет хранить несколько битов информации — как в чипах MLC NAND flash-памяти. Кроме того, сам процесс изготовления чипов FeDRAM будет проще, а значит, и дешевле, чем у обычной DRAM-памяти.

В настоящее время разработчики задались целью создать рабочий прототип чипа FeDRAM. C поддержкой компаний-участниц консорциума SRC, возможно, производство чипов FeDRAM начнется в недалеком будущем, хотя вероятные сроки так и не были указаны.

Просмотров: 360 | Добавил: MaZaHaKa | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]

Поиск
Календарь
«  Август 2009  »
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31
Архив новостей
Лучшие сайты
  • Rock-Musiks
  • Anime-World
  • Wara.ru
  • Отдых в АРКрым
  • Официальный Torrent
  • Дизайнер MaZaHaKa © 2025