Консорциум Semiconductor Research Corporation (SRC) совместно с исследователями из Йельского университета, США, разрабатывает технологию, которая позволит значительно увеличить производительность чипов DRAM-памяти.

Инновация заключается в применении ферроэлектрических слоев, благодаря которым отпадает необходимость в использовании запоминающих конденсаторов, как это делается в обычных DRAM-ячейках. Ячейки в чипах ферроэлектрической DRAM-памяти (FeDRAM) будут похожи на ячейки обычной DRAM – с КМОП-транзисторами, только, вместо диэлектрических, затворы у них будут ферроэлектрическими. 

Ферроэлектрическая DRAM-память будет обладать лучшими возможностями для масштабирования, меньшими размерами ячеек и будет потреблять меньше электроэнергии по сравнению с обычной DRAM. Время запоминания возрастет как минимум в 1000 раз. Также появится возможность более плотной записи данных: в одной ячейке можно будет хранить несколько битов информации — как в чипах MLC NAND flash-памяти. Кроме того, сам процесс изготовления чипов FeDRAM будет проще, а значит, и дешевле, чем у обычной DRAM-памяти.

В настоящее время разработчики задались целью создать рабочий прототип чипа FeDRAM. C поддержкой компаний-участниц консорциума SRC, возможно, производство чипов FeDRAM начнется в недалеком будущем, хотя вероятные сроки так и не были указаны.