Консорциум Semiconductor Research Corporation (SRC) совместно с исследователями из Йельского университета, США, разрабатывает технологию, которая позволит значительно увеличить производительность чипов DRAM-памяти.

Инновация заключается в применении ферроэлектрических слоев, благодаря которым отпадает необходимость в использовании запоминающих конденсаторов, как это делается в обычных DRAM-ячейках. Ячейки в чипах ферроэлектрической DRAM-памяти (FeDRAM) будут похожи на ячейки обычной DRAM – с КМОП-транзисторами, только, вместо диэлектрических, затворы у них будут ферроэлектрическими. 

Ферроэлектрическая DRAM-память будет обладать лучшими возможностями для масштабирования, меньшими размерами ячеек и будет потреблять меньше электроэнергии по сравнению с обычной DRAM. Время запоминания во ... Читать дальше »